随着人工智能和大数据的快速发展，数据存储的需求急剧增长，对存储技术的要求也越来越高。 在此背景下，存储器行业竞争愈演愈烈，巨头之间的技术竞争如火如荼。

可以说，在这个充满挑战与机遇的时代背景下，存储器行业正在迎来一场前所未有的技术革命。 只有追求卓越，勇攀高峰，才能在激烈的竞争中立于不败之地。

NAND Flash
NAND 闪存制造商一直在尝试通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度。 虽然这从根本上来说是提高记录密度最具挑战性的方法，但从成本角度来看，它也是最有价值的。

根据 据韩国媒体报道，三星最快将于本月晚些时候实现第 9 代 V-NAND 闪存的量产。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 - 具有行业领先堆叠层数的新一代 NAND 闪存将于 2024 年初投入量产。

垂直 NAND
三星于 2022 年 11 月批量生产了 236 层第 8 代 V-NAND，并在大约一年半后生产了下一代。 报告显示，第 9 代垂直 NAND 闪存将具有 290 层堆栈。

垂直 NAND，一项奇妙的闪存技术， 不再满足于平面足迹，而是以三维结构堆叠电路层。 随着NAND闪存芯片的层数不断增加，成本逐渐降低，单个芯片容量变得更大，空间利用率大大提高。 这种创新设计不仅改变了传统的电路布局，也为未来技术发展开辟了新的可能性。

NAND 闪存结构
三星第9代垂直NAND将遵循双闪存堆栈结构，以实现更简单的工艺和更低的制造成本。 预计明年推出的三星第10代垂直NAND闪存的新架构将进一步增加3D闪存可能的最大堆栈数量，尽管这也会增加技术的复杂性。

NAND闪存市场
随着大数据、物联网和数据中心等领域的蓬勃发展，NAND闪存市场已达到饱和点。 然而，这并没有阻止NAND闪存制造商的脚步。 相反，它们正在加快技术升级和市场拓展的步伐，争夺NAND闪存市场的霸主地位。

增加NAND堆栈层数对性能有影响吗？
理论上，堆栈层数越少，功耗越低。垂直NAND堆栈消耗更多 具有更多层的能力，但这是仅读取一位数据的理论情况。

实际上，NAND闪存批量读取数据，功耗可以均匀地分布在每个单元的读取操作上。 NAND闪存的读取功耗已经很低，并且工艺改进降低了功耗，因此增加NAND堆叠层数对设备电池功耗的影响可以忽略不计。

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