隨著人工智慧和大數據的快速發展，資料儲存的需求急劇增長，對儲存技術的要求也越來越高。在此背景下，記憶體產業的競爭愈發激烈，巨頭之間的技術競爭如火如荼。

可以說，在這個充滿挑戰和機會的時代背景下，記憶體產業正在迎來一場前所未有的科技革命。只有追求卓越、勇攀高峰，才能在激烈的競爭中立於不敗之地。

快閃記憶體
NAND 快閃記憶體製造商一直在嘗試透過增加每個單元儲存的位元數來提高其儲存裝置的儲存密度。雖然這從根本上來說是提高記錄密度最具挑戰性的方法，但從成本角度來看，它也是最有價值的。

根據韓國媒體報道，三星最快將於本月稍後實現第 9 代 V-NAND 快閃記憶體的量產。
三星高層 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 快閃記憶體擁有業界領先的堆疊層數，將於 2024 年初實現量產。

垂直NAND
三星於 2022 年 11 月批量生產了 236 層第 8 代 V-NAND，並在大約一年半後生產了下一代。報道稱，第9代Vertical NAND快閃記憶體將具有290層的堆疊。

垂直NAND是一種奇妙的快閃記憶體技術，它不再滿足於平面佔地面積，而是以三維結構堆疊電路層。隨著NAND快閃記憶體晶片的層數不斷增加，成本逐漸降低，單一晶片容量變得更大，空間利用率大大提高。這種創新設計不僅改變了傳統的電路佈局，也為未來技術發展開啟了新的可能性。

NAND快閃記憶體結構
三星的第9代垂直NAND將遵循雙快閃堆疊的結構，以實現更簡單的製程和更低的製造成本。預計明年推出的三星第10代垂直NAND快閃記憶體的新架構將進一步增加3D快閃記憶體可能的最大堆疊數量，儘管這也會增加技術的複雜性。

NAND快閃記憶體市場
隨著大數據、物聯網和資料中心等領域的蓬勃發展，NAND快閃記憶體市場已達到飽和點。然而，這並沒有阻止NAND快閃記憶體製造商的腳步。相反，他們正在加快技術升級和市場擴張的步伐，爭奪NAND快閃記憶體市場的霸主地位。

NAND 堆疊層數的增加會對效能產生影響嗎？
理論上，堆疊層數越少，功耗越低。

實際上，NAND 快閃記憶體批量讀取數據，功耗可以均勻分佈在每個單元的讀取操作中。 NAND快閃記憶體的讀取功耗已經很低，而且製程改進降低了功耗，因此增加NAND堆疊層數對裝置電池功耗的影響可以忽略不計。

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