Avec le développement rapide de l'intelligence artificielle et du Big Data, la demande de stockage de données a considérablement augmenté et les exigences en matière de technologie de stockage sont devenues plus exigeantes. Dans ce contexte, la concurrence dans le secteur de la mémoire est devenue de plus en plus intense et la concurrence technologique entre les géants bat son plein.

On peut dire que l'industrie de la mémoire inaugure une révolution technologique sans précédent dans le contexte d'une époque pleine de défis et d'opportunités. Ce n'est qu'en recherchant l'excellence et en atteignant de nouveaux sommets que nous pourrons rester invincibles face à une concurrence féroce.

NAND Flash
Les fabricants de flash NAND ont tenté d'augmenter la densité de stockage de leurs périphériques de stockage en augmentant le nombre de bits stockés par cellule. Bien qu'il s'agisse fondamentalement du moyen le plus difficile d'augmenter la densité d'enregistrement, c'est également le plus précieux du point de vue des coûts.

Selon Selon des informations parues dans la presse coréenne, Samsung réalisera la production en masse de flash V-NAND Gen 9 dès la fin du mois.
Le directeur de Samsung, Jung-Bae Lee, a déclaré en octobre dernier que son prochain La mémoire flash NAND de nouvelle génération, dotée d'un nombre inégalé de couches empilées, serait en production en volume d'ici début 2024.

NAND verticale
Samsung a produit en masse 236 couches de V-NAND Gen 8 en novembre 2022, avant de produire la génération suivante environ un an et demi plus tard. Les rapports indiquent que la 9e génération de Flash NAND vertical aura une pile de 290 couches.

NAND vertical, une merveilleuse technologie flash, ne se contente plus d'une empreinte planaire, mais empile plutôt des couches de circuits dans une structure tridimensionnelle. À mesure que le nombre de couches de puces de mémoire flash NAND continue d'augmenter, le coût diminue progressivement, la capacité de chaque puce devient plus grande et l'utilisation de l'espace est considérablement améliorée. Cette conception innovante modifie non seulement la disposition des circuits traditionnels, mais ouvre également de nouvelles possibilités pour le développement technologique futur.

NAND Structure de la mémoire Flash
La NAND verticale de 9e génération de Samsung suivra la structure des piles doubles Flash pour réaliser des processus plus simples et réduire les coûts de fabrication. La nouvelle architecture du flash NAND vertical de 10e génération de Samsung, qui devrait être lancée l'année prochaine, augmentera encore le nombre maximum de piles possibles pour le flash 3D, même si elle augmentera également la complexité de la technologie.

Marché Flash NAND
Le marché Flash NAND a atteint un point de saturation avec la croissance en plein essor dans des domaines tels que le Big Data, l'IoT et les centres de données. Cependant, cela n’a pas arrêté les fabricants de flash NAND. Au lieu de cela, ils accélèrent le rythme des mises à niveau technologiques et de l'expansion du marché, rivalisant pour la suprématie sur le marché de la mémoire flash NAND.

Une augmentation du nombre de couches de pile NAND fait-elle une différence en termes de performances ?
Théoriquement, plus le nombre de couches empilées est faible, plus la consommation d'énergie est faible. Les piles NAND verticales consomment plus puissance avec plus de couches, mais il s'agit d'un cas théorique de lecture d'un seul bit de données.

En réalité, la mémoire flash NAND lit les données par lots et la consommation d'énergie peut être répartie uniformément sur l'action de lecture de chaque cellule. La consommation d'énergie en lecture de la mémoire Flash NAND est déjà très faible, et les améliorations apportées aux processus ont réduit la consommation d'énergie. L'augmentation du nombre de couches empilées de NAND a donc un impact négligeable sur la consommation d'énergie de la batterie de l'appareil.

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